光刻机的纳米制程能力，是衡量其先进水平的重要标准。

目前全球最先进的光刻机来自荷兰ASML公司。ASML是唯一能够量产极紫外光（EUV）光刻机的公司，其最先进设备已经广泛应用于7纳米、5纳米、甚至3纳米芯片的生产。在某些试验线中，ASML还推出了“高数值孔径”（High-NA）的EUV光刻机，目标是实现2纳米甚至1纳米制程。这些设备极为复杂，由几十万个零部件组成，价格高达1.5亿欧元以上。像苹果、台积电、三星这些全球最顶尖的芯片厂商，都是ASML EUV设备的重要客户。比如苹果A17 Pro、M3芯片、骁龙8 Gen3等先进芯片，正是通过EUV光刻完成其核心结构。

在ASML的技术体系中，制程能力的提升不仅仅依赖更短波长的光源，还借助先进的多重曝光技术、浸没式光刻技术、高精度对准系统等综合提升。例如，ASML的193纳米ArF浸没式光刻机，理论上只能达到45纳米，但通过多重图案叠加和精准校准，已被应用到28纳米、14纳米，甚至部分7纳米制程线中。这也说明，光刻机的“制程节点”并不完全等同于光源波长，而是一个系统综合能力的体现。

与ASML相比，日本的两大光刻机制造商——尼康（Nikon）和佳能（Canon）——则更侧重于传统深紫外光（DUV）光刻设备。尼康的最新产品可以支持28纳米以下制程，部分型号通过多重曝光也能勉强支持14纳米节点，但并不具备EUV光刻能力。因此，尼康设备多用于图像传感器、DRAM芯片、汽车电子等领域，而非最尖端的处理器制造。佳能则主要专注于成熟工艺市场，光刻能力大多在90纳米到130纳米之间，在模拟芯片、功率器件、MEMS（微机电系统）领域有广泛应用。此外，佳能正在尝试研发一种名为“纳米压印光刻”（Nanoimprint）的新技术，理论上可以达到10纳米以下，但目前还未实现大规模商业化。

虽然ASML主导EUV整机制造，但它的很多核心部件，如掩模基板、光刻胶材料、反射镜、硅片等，却来自日本企业。例如，光罩基板几乎被日本HOYA和旭硝子垄断，EUV光刻胶主要来自东京应化、JSR等厂商，这说明即便没有整机，日本在先进纳米制程背后的供应链中也占据着极为关键的地位。

美国虽然没有本土光刻机制造商在前端曝光设备领域取得领先，但却是光刻系统中很多核心软件和部件的供应者，比如EDA（电子设计自动化）工具、对准系统算法、离子注入设备等领域都由美企主导。可以说，虽然光刻机的最小纳米能力是硬件水平的代表，但真正实现这些先进节点，还需全球多国技术协同。

从产业发展趋势看，1纳米以下的芯片制程已经列入开发计划，而实现这些节点需要更新一代的光刻设备——高数值孔径EUV（High-NA EUV）。目前ASML正在量产此类设备，其数值孔径从传统的0.33提升至0.55，可支持更小光斑、更高解析度，从而实现1.8纳米甚至1纳米的技术节点。预计这些设备将在2025年起投入试产线，为未来的AI芯片、超级计算芯片提供技术支持。

总的来说，国外最先进的光刻机目前可以支持到3纳米以下制程，未来将向2纳米、1纳米甚至亚纳米级进军。