光刻机的光源是其核心组件之一，直接影响光刻过程的分辨率和成像质量。现代光刻机主要采用激光光源、汞灯以及更先进的极紫外光（EUV）等。

首先，激光光源具有高亮度和良好的单色性，能够实现高分辨率的图形转移。其波长通常在193纳米（nm）至248纳米之间，这些波长适合于深紫外光（DUV）光刻技术，广泛应用于半导体制造。DUV光刻通过掩模将图形转移至硅片上，依赖于光的干涉和衍射效应，波长越短，分辨率越高。

其次，汞灯是早期光刻机中常用的光源，虽然其成本较低，但其光谱宽广，难以精确控制。随着技术的发展，汞灯逐渐被更高效的光源替代。

近年来，极紫外光（EUV）光刻技术成为了业界的新宠。EUV光源的波长为13.5纳米，能够大幅度提升分辨率，适用于制造5nm及更小工艺节点的芯片。EUV光刻机使用高能量的激光打击锡等气体，产生等离子体，进而发出EUV光。这一技术的挑战在于光源的稳定性和系统的复杂性，但它提供了极为精细的图形转移能力。

光刻过程中，光的传播和干涉特性也是关键因素。光通过光学系统，包括透镜和镜子，形成所需的图像。多层膜光学系统能有效控制光的传播，提高成像质量。

总之，光刻机的光源技术是推动半导体制造技术进步的重要动力。未来，随着材料科学和光学技术的发展，光刻机的光源将继续演进，以满足日益增长的集成电路制造需求。