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euv极紫外线光刻机
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科汇华晟

时间 : 2025-02-08 13:29 浏览量 : 3

EUV(Extreme Ultraviolet,极紫外光刻)光刻机是当今全球最先进的芯片制造设备,主要用于生产7nm及以下制程半导体芯片。


1. 什么是EUV光刻?

光刻技术是芯片制造的核心工艺之一,通过光刻机将电路图案投影到硅片上,形成微纳级晶体管结构。EUV光刻机使用波长为13.5纳米的极紫外光,相比传统的DUV(深紫外光,193nm),它可以刻画更细小的电路,从而制造出更先进的芯片。


1.1 光刻机的演进

G线(436nm)、I线(365nm):用于制造微米级芯片(大于130nm工艺)。

KrF光刻(248nm):可支持90nm及以上工艺节点。

ArF光刻(193nm):可支持65nm及以上工艺节点。

ArF浸没式光刻(193nm)+ 多重曝光:支撑至7nm,但工艺复杂。

EUV光刻(13.5nm):突破7nm以下制程,实现2nm级别制造。


2. EUV光刻机的工作原理

EUV光刻机的核心是利用13.5nm的极紫外光将芯片电路图案刻画到硅片上,但由于EUV光极难产生和控制,整个系统设计极为复杂。


2.1 EUV光源的产生

EUV光刻机无法使用传统的激光器,而是采用激光等离子体光源(LPP, Laser-Produced Plasma)。其原理如下:

生成锡等离子体:二氧化碳(CO₂)激光器以极高能量(约40kW)轰击微小的锡滴,使其变为高温等离子体(约22万°C)。

产生EUV光:锡等离子体辐射出13.5nm的极紫外光。

收集与聚焦:特殊的多层反射镜(MLM,Multi-Layer Mirrors)将EUV光聚焦并送入光刻系统。


2.2 反射光学系统(无透镜设计)

由于13.5nm的EUV光无法穿透玻璃,因此EUV光刻机不能使用传统的透镜,而是采用反射式光学系统,由多个超高精度反射镜组成。


德国蔡司(Zeiss)专门为ASML提供EUV反射镜,每个反射镜由40-50层钼-硅薄膜堆叠而成,光反射率仅约70%。

光刻掩模(Mask):传统光刻机的掩模是透明的,而EUV掩模是由反射材料制成,并需要极高的光学清洁度。


2.3 纳米级曝光与晶圆对准

EUV光刻机采用超高精度的多级光学对准系统,保证电路图案可以精确地刻画在硅片上。


晶圆台(Wafer Stage):采用磁悬浮驱动,精度达到0.1纳米。

主动校准系统:实时调整晶圆位置,以确保曝光的精确性。


3. EUV光刻机的制造难点

EUV光刻机是人类科技巅峰之一,其制造涉及多个高难度技术挑战。


3.1 EUV光源功率不足

EUV光刻的生产效率取决于光源功率,目前最强的EUV光刻机光源功率约为250W,每小时可曝光约200片晶圆,但仍比传统DUV光刻机低,影响了生产效率。


3.2 反射镜污染与清洁

由于EUV光刻机的反射镜多次反射光线,任何微小的灰尘或污染都会影响曝光精度。ASML专门研发了极端洁净技术,包括高真空系统和氢气清洁工艺,以保持镜面清洁。


3.3 掩模缺陷检测

EUV掩模(Mask)极其昂贵,每块价格高达百万美元,且任何小缺陷都会影响芯片良率。因此,需要高分辨率电子束检测技术确保掩模质量。


4. 全球EUV光刻机产业格局

4.1 荷兰ASML:唯一的EUV光刻机制造商

目前,ASML是全球唯一的EUV光刻机供应商,其EUV设备已被台积电、三星、英特尔等半导体巨头广泛采用。


台积电(TSMC):最早采用EUV技术,7nm、5nm、3nm均使用EUV光刻。

三星:在5nm、3nm芯片中使用EUV光刻,与台积电竞争高端市场。

英特尔:在EUV技术上起步较晚,但正在追赶台积电和三星。


4.2 供应链关键企业

EUV光刻机的制造涉及全球供应链,主要合作企业包括:


蔡司(Zeiss):提供EUV反射镜。

Trumpf(通快):提供高功率CO₂激光器。

Cymer(ASML子公司):提供EUV光源系统。

日本JSR、东京应化:提供EUV光刻胶


4.3 其他国家的挑战与追赶

中国:目前中国尚未掌握EUV光刻机制造能力,但正在突破DUV光刻机,并布局EUV相关技术研发。

日本Nikon、Canon:由于未能突破EUV技术,逐渐退出高端市场。


5. EUV光刻机的未来发展

未来的EUV光刻机将继续优化,提高生产效率,支持更先进的芯片制造工艺。


5.1 高数值孔径(High-NA)EUV光刻

ASML正在研发高NA(数值孔径)EUV光刻机,数值孔径从0.33提升至0.55,可以支持1.4nm甚至更先进的芯片制造,预计2025年投入市场。


5.2 EUV光源功率提升

未来EUV光源的功率将进一步提升,目标是1000W级别,以提高生产效率,降低成本。


5.3 X射线光刻技术(未来替代方案)

EUV光刻机的极限大约是1nm工艺,更先进的芯片制造可能需要X射线光刻或电子束光刻等新技术。


6. 总结

EUV光刻机是芯片制造行业的巅峰技术,荷兰ASML凭借技术垄断,成为全球半导体行业不可替代的核心企业。尽管中国、日本等国家正在加速追赶,但短期内难以挑战ASML的市场地位。


未来,高NA EUV光刻、X射线光刻等技术将决定半导体制造的下一步,而EUV光刻机仍将是先进芯片制造的核心装备。


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