在2000年代初期，光刻机在半导体行业中扮演着至关重要的角色。2000年代初期的光刻技术已经取得了显著的进步，使得制程尺寸得以不断缩小，从而推动了半导体行业的发展。然而，2000年代初期的光刻机技术主要集中在传统的紫外光刻技术上，其分辨率和精度受到了波长的限制，因此无法实现像今天的欧盟光刻技术（Extreme Ultraviolet Lithography，EUV光刻）那样极高的分辨率。

在2000年代初期，光刻机的制程尺寸主要集中在几十纳米到百纳米级别。具体来说，光刻机在2000年代初期主要应用于制造90纳米到130纳米级别的芯片结构。这一时期，半导体行业的主要焦点是在提高集成度、降低功耗和提高性能方面进行研究和创新。紫外光刻技术虽然已经取得了一定的进步，但其分辨率和精度仍然受到了限制，因此难以实现更小型化、更高密度的芯片结构制造。

然而，尽管2000年代初期的光刻技术仍然受到了一些限制，但半导体行业在这一时期依然取得了一系列重要的技术突破。例如，在这一时期，半导体制造商不断探索和改进光刻技术，引入了多层曝光、多重暴光和光刻技术改进等新技术和方法，以提高制程尺寸的精度和分辨率。此外，还引入了一些新的材料和工艺，如低介电常数材料、多层金属化等，以进一步提高芯片的性能和功耗。

在2000年代初期，虽然光刻技术仍然受到了一些限制，但半导体行业在这一时期依然取得了一些重要的进展。随着技术的不断进步和创新，光刻机的制程尺寸在未来几年可能会继续缩小，实现更小型化、更高密度的芯片结构制造。总的来说，2000年代初期的光刻机技术虽然无法与当今的EUV光刻技术相比，但在当时仍然是半导体制造中至关重要的关键技术之一，为行业的发展做出了重要贡献。