极紫外（EUV）光刻机采用的光源波长是13.5纳米。这种极短波长的光源相比传统的193纳米光刻机而言，具有更高的分辨率和更精细的图案制造能力，因此被视为下一代半导体芯片制造的关键技术之一。

光源原理

EUV辐射： 极紫外（EUV）辐射是一种高能量、高频率的电磁辐射，其波长介于10纳米至121纳米之间。在EUV光刻机中，通常采用13.5纳米波长的EUV辐射作为光源，因为这个波长具有最佳的折射率和穿透能力。

等离子体源： 13.5纳米EUV光源通常通过等离子体源产生。在等离子体源中，通过激光或其他能量源将稀有气体（通常是锗或锡）加热至极高温度，形成等离子体，并通过准静态等离子体的辐射来产生EUV辐射。

光学系统： 光学系统负责将产生的EUV辐射聚焦到光刻模板上，以投射图案到硅片表面上。这些光学系统包括反射镜、透镜和其他光学元件，能够将EUV辐射的能量聚焦到纳米级别的尺度上。

应用领域

半导体制造： EUV光刻机在半导体行业中得到广泛应用，用于制造先进的集成电路芯片。其极短的波长使得其能够制造更小、更复杂的芯片结构，从而实现更高的集成度和性能。

下一代芯片设计： 在芯片设计领域，工程师们利用EUV光刻机验证和评估设计图案的可行性和性能。通过将设计图案投影到硅片上，他们可以检查图案的准确性和精度，以确保芯片的制造过程顺利进行。

新材料研发： EUV光刻机也在新材料研发领域得到应用。研究人员利用光刻机制造不同结构的样品，用于评估新材料的性能和应用潜力，推动材料科学的发展和创新。

技术发展趋势

光源稳定性提高： 未来的发展趋势之一是提高EUV光源的稳定性和可靠性，以确保光刻机的长时间稳定运行。

成本降低： 随着技术的进步和市场的竞争，预计EUV光刻机的成本将逐渐下降，使得更多厂商和企业能够采用这项技术。

多层叠加技术： 为了满足复杂芯片设计的需求，未来的EUV光刻机可能会加强多层叠加技术，实现更复杂的图案结构和功能。

综上所述，EUV光刻机采用的光源波长是13.5纳米，这种极短波长的光源具有更高的分辨率和更精细的图案制造能力，使其在半导体制造和芯片设计领域发挥着重要作用。随着技术的不断发展和创新，EUV光刻机将继续推动半导体行业的进步和发展。