光刻机是一种关键的半导体制造设备，主要用于将设计好的芯片图案投射到硅片表面，以制造集成电路和其他微纳米器件。光刻机使用的光源是制造过程中至关重要的组成部分，其光束的特性直接影响了图案的精度、分辨率和生产效率。

紫外光（UV）

紫外光是最常用的光刻光源之一，通常使用波长为365纳米或248纳米的紫外线。紫外光具有较短的波长和高能量，能够实现较高分辨率和精度的图案转移。UV光刻机在半导体制造中应用广泛，特别是在传统的二维图案制造中。

可见光

可见光光刻机使用可见光作为光源，通常在波长为400纳米至700纳米之间。可见光刻机通常用于制造一些简单的结构和图案，如光学元件、生物芯片等，其分辨率和精度相对较低。

极紫外光（EUV）

极紫外光是一种高能量、高分辨率的光源，其波长通常在10纳米至20纳米之间。EUV光刻机能够实现极高的分辨率和精度，适用于制造先进的半导体器件，如7纳米及以下的微处理器、存储器等。

电子束（e-beam）

电子束光刻机使用电子束作为光源，具有极高的分辨率和精度，可实现纳米级别的图案转移。电子束光刻机通常用于制造一些特殊的微纳米结构，如MEMS器件、光子晶体等。

深紫外光（DUV）

深紫外光是介于紫外光和极紫外光之间的一种光源，通常在波长为193纳米或157纳米之间。DUV光刻机具有较高的分辨率和精度，广泛应用于先进的半导体制造中。

光刻机在不同的制造过程中选择合适的光源，以实现所需的分辨率、精度和生产效率。随着半导体制造技术的不断发展和进步，光刻机的光源也在不断演进和改进，以满足日益严格的制造要求和市场需求。