在半导体制造业中，光刻技术是一项关键的制造工艺，用于将芯片上的电路图案转移到硅片表面。随着半导体芯片制程的不断发展，制程尺寸的不断缩小，传统的深紫外（DUV）光刻技术面临着挑战。为了满足日益增长的芯片密度和性能需求，极紫外（EUV）光刻技术应运而生，成为了下一代半导体制造的重要选择。

更小的制程尺寸： 极紫外（EUV）光刻技术具有更短的波长（13.5纳米），比传统的深紫外（DUV）光刻技术（193纳米）更短。这意味着EUV可以实现更小的光学分辨率，使得制程尺寸可以缩小到更小的尺度。在当前半导体工艺的趋势下，芯片的制程尺寸越来越小，EUV技术能够更好地满足这一需求。

提高生产效率： 由于EUV技术可以实现更高的光学分辨率和更短的波长，因此可以实现更高的曝光效率和更快的芯片制造速度。相比之下，使用DUV技术进行多次曝光以实现更复杂的芯片结构，会增加制造周期和成本。EUV技术可以实现单次曝光完成更复杂的芯片结构，提高了生产效率。

降低制造成本： 尽管EUV光刻机的购置成本较高，但由于其更高的生产效率和更快的制程速度，可以在一定程度上降低每个芯片的制造成本。此外，EUV技术还可以实现更好的制程一致性和产品质量，减少了后续工艺处理的需求，从而进一步降低了制造成本。

支持复杂结构的制造： 随着半导体工艺的不断进步，芯片的复杂度和集成度也在不断提高。EUV技术具有更高的光学分辨率和更短的波长，可以更好地支持复杂结构的制造，如三维堆叠、微细孔洞等，满足了半导体行业对更高性能、更多功能的芯片的需求。

综上所述，极紫外（EUV）光刻技术具有更小的制程尺寸、更高的生产效率、更低的制造成本和更好的制程支持等优势，因此被广泛认为是半导体制造业未来的发展趋势。随着EUV技术的不断进步和成熟，它将在半导体制造中发挥越来越重要的作用，推动半导体行业的持续发展和创新。