极紫外（EUV）光刻机和深紫外（DUV）光刻机是半导体制造中常用的两种光刻技术，它们在光源、波长、分辨率、成本等方面存在显著差异。

光源技术

EUV光刻机使用的是极紫外光源，其波长约为13.5纳米，远短于DUV光刻机使用的193纳米光源。这使得EUV技术能够实现更高的分辨率和更小的制程尺寸，有助于制造更复杂、更紧凑的芯片。

DUV光刻机使用的是深紫外光源，其波长约为193纳米。虽然DUV技术在一定程度上也能实现高分辨率，但相比于EUV技术，其制程尺寸更大、分辨率更低。

分辨率和制程能力

EUV光刻机具有更高的分辨率和更小的制程尺寸，可以实现更细微的芯片结构和更高的集成度。由于其极短波长，EUV技术可以有效克服DUV技术在制程尺寸上的限制，有助于推动芯片制程向更小尺寸发展。

DUV光刻机在分辨率和制程能力方面相对较低，适用于制造相对较大尺寸的芯片结构。尽管DUV技术已经取得了一定的进展，但随着芯片制程的不断缩小，其局限性逐渐显现出来。

设备成本和复杂度

EUV光刻机的制造成本较高，主要是由于极紫外光源等核心技术的高昂成本。EUV技术的制造和维护都需要更高的技术水平和成本投入。

DUV光刻机的制造成本相对较低，相比于EUV光刻机，DUV技术的光源和相关设备更为成熟，成本更加可控。

技术发展和应用前景

EUV技术是下一代半导体制程的重要方向，被广泛应用于制造先进的7纳米及以下尺寸的芯片。随着EUV技术的不断成熟和应用，预计其在未来的半导体制程中将发挥更重要的作用。

DUV技术虽然已经在半导体制程中得到广泛应用，但随着芯片制程的不断缩小和复杂度的提高，其局限性逐渐显现。因此，DUV技术的发展空间相对有限。

综上所述，EUV光刻机和DUV光刻机在光源、分辨率、制程能力、设备成本以及技术发展方面存在显著差异。EUV技术具有更高的制程能力和未来发展潜力，但其成本较高；而DUV技术成本较低，但其局限性在芯片制程的不断发展中逐渐凸显。因此，选择适合的光刻技术取决于具体的应用需求和制程要求。