光刻技术在半导体制造中扮演着至关重要的角色，其分辨率决定了微电子器件的精度和性能。随着半导体工艺的不断发展，光刻技术的分辨率也在不断提升。目前，最先进的光刻机已经能够实现非常小尺寸的图案制造，其分辨率已经达到了亚纳米级别。

在过去几十年里，光刻技术的分辨率一直在不断提升。早期的光刻技术主要采用紫外光源进行曝光，分辨率大约在几十纳米到几百纳米之间。随着光刻机的技术革新和光学系统的改进，分辨率逐渐提高到了十几纳米甚至单个纳米级别。

然而，要实现纳米级别的分辨率并非易事，需要克服诸多技术难题。为了突破纳米级别的分辨率，光刻技术采用了一系列先进的技术手段，其中包括：

深紫外光刻（DUV）： DUV光刻技术采用更短波长的紫外光源，能够实现更小尺寸的图案制造。目前，DUV光刻技术已经能够实现接近10纳米的分辨率。

极紫外光刻（EUV）： EUV光刻技术是光刻技术的一个重要突破，采用13.5纳米波长的极端紫外光源进行曝光，能够实现更高分辨率、更小特征尺寸的器件制造。目前，EUV光刻技术已经实现了接近3纳米的分辨率。

多重曝光技术： 多重曝光技术可以将多个图案叠加在一起进行曝光，从而实现更复杂的器件结构和更小尺寸的图案。通过多重曝光技术，光刻技术可以进一步提高分辨率和精度。

智能化控制系统： 智能化控制系统能够实时监测光刻过程中的各种参数，并进行自动调整和优化，提高了曝光的精度和稳定性。

综上所述，目前光刻机能够实现的最小分辨率已经接近纳米级别，且随着技术的不断进步和创新，纳米级别以下的分辨率也将逐步实现。这一突破为微电子器件的制造提供了更大的可能性，推动了半导体行业的发展。