目前，光刻机最先进的是ASML公司的NXE3400B型号，其分辨率可以达到7nm以下。这台光刻机是目前世界上唯一可以量产的EUV光刻机。

EUV光刻机是集成电路制造工艺中最重要的设备之一，其分辨率越高，可以制造的芯片线宽越小，芯片的性能和功耗也会越好。目前，EUV光刻机的技术还处于发展阶段，其分辨率还在不断提高。

根据ASML的规划，其下一代EUV光刻机NXE3600C型号，其分辨率将达到3nm以下。这台光刻机预计将在2025年开始量产。

此外，还有一些公司正在研发其他类型的光刻机，例如使用X射线光源的光刻机。这些光刻机具有更高的分辨率，但其技术难度也更大。

光刻机的分辨率

光刻机的分辨率是指光刻机可以刻蚀的最小线宽。光刻机的分辨率主要取决于光源的波长、光学系统的性能和光刻胶的特性。

光刻机的光源波长越短，光刻机的分辨率就越高。目前，EUV光刻机的光源波长为13.6nm，是目前最短的光源波长。

光学系统的性能越好，光刻机的分辨率就越高。光学系统需要具有极高的光学性能，才能满足高分辨率的要求。

光刻胶的特性也会影响光刻机的分辨率。光刻胶的厚度越薄，光刻机的分辨率就越高。

光刻机的未来

随着集成电路制造工艺的不断发展，对光刻机的需求不断增加。光刻机的技术也将不断提高，其分辨率将不断提高。

预计在未来几年内，光刻机的分辨率将达到3nm以下，甚至更低。这将为制造更高性能、更低功耗的芯片提供可能。